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IPB100N08S2L-07中文资料

IPB100N08S2L-07图片

IPB100N08S2L-07外观图

  • 大小:155.16KB
  • 厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述:OptiMOS㈢ Power-Transistor
  • 数据列表:IPB,IPP100N08S2L-07
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.5 毫欧 @ 80A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:246nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5400pF @ 25V
  • 功率 - 最大:300W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:PG-TO263-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SP000219053

IPB100N08S2L-07供应商

更新时间:2023-01-11 17:49:07
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